Развитие микроэлектроники в России

[Ботвинк]

Поводом для обсуждения в одном блоге послужил следующий ролик: Отряды Путина за производство микрочипов в России. Смех смехом, но я тут подсчитал, что в принципе, если раскулачить с десяток - другой российских олигархов, то можно наскрести ярдов 100 - 150 баксов на развитие российской микроэлектронной промышленности. Мне возразили, что:

Этой суммы даже на один завод не хватит.
Вот здесь приводится цена:
www.granitefirm.com
$15-$20 миллиардов за одну линию.

[державник]

Сообщение от Ботвинк

Поводом для обсуждения в одном блоге послужил следующий ролик: Отряды Путина за производство микрочипов в России. Смех смехом, но я тут подсчитал, что в принципе, если раскулачить с десяток - другой российских олигархов, то можно наскрести ярдов 100 - 150 баксов на развитие российской микроэлектронной промышленности. Мне возразили, что:

Это то что доступно для публичной информации,а ведь есть и то что не доступно.Вы понимаете о чём я?

6 дек 2011 в 13:11
Российская микроэлектроника для ВПК и не только

https://habr.com/ru/articles/134083/

Далее,надо понимать,что есть разработчики,а есть производители.Вы понимаете о чём я?

«Микроэлектроника-2023»: власти РФ уповают на освоение 28-нм производства чипов к 2027 году

https://russianelectronics.ru/2023-1...odstva-chipov/

28 нм (0,028 мкм)- это уровень 2010.Например:
"
Установленный процессор - i7 990X. Это был самый мощный процессор для десктопов в принципе на 2010 год (как уже говорил, зеоны в счет не берем). Он превосходно гнался, был очень горячим, имел 6 ядер и 12 потоков. Даже сегодня некоторые топовые сборки имеют меньше потоков, чем этот зверь (привет любителям мериться количеством потоков). "(С*)

Вспомним какие гаджеты были 2010 году




Да,мы пока кое в чём отстаём,правительство и президент желают лучшего,поэтому может будет и толще американского айпада(iPad),но в карман поместится.

[Ботвинк]

Вот еще видео в тему.
.................................................. ...............

[Ботвинк]

Сообщение от державник

[I]
«Микроэлектроника-2023»: власти РФ уповают на освоение 28-нм производства чипов к 2027 году
https://russianelectronics.ru/2023-1...odstva-chipov/

России остается уповать только на китайцев. Они освоили 14-нм техпроцесс.

[державник]

Сообщение от Ботвинк

России остается уповать только на китайцев. Они освоили 14-нм техпроцесс.

Вот эта статья малость приоткроет будущие нашей микроэлектроники,однако о многом умалчивается.Так что советую прочесть,если интересна эта тема.

Академик РАН Александр Сигов рассказал о перспективах российской микроэлектроники

27*сентября*2022,*20:25 Андрей Угланов, Главный редактор АН

Выживет ли наша микроэлектроника после отказа от сотрудничества тайваньских и сингапурских фирм?

Удастся ли нам обрести импортнезависимость?

Кто автор «тайваньского чуда»?

Из-за чего китайцы тормозят сотрудничество с нами в области микроэлектроники?

Почему патенты русских учёных висят в коридоре голландской фирмы, а не у нас?

Когда изменится система, по которой нашим учёным приходится ждать элементарного оборудования и реактивов по полгода?

Зачем ракете микрочип?

Способен ли сегодняшний первокурсник МИРЭА отличить транзистор
от резистора?

На эти и другие вопросы главному редактору «Аргументов недели» Андрею УГЛАНОВУ отвечает академик РАН, президент РТУ МИРЭА, специалист в области физики твёрдого тела, твердотельной электроники Александр СИГОВ.

https://argumenti.ru/interview/2022/09/791424

[А.Лексей]

Алфёров в РосНано запрашивал у Чубайса всего 2 миллиарда рублей на создание производства наноразмерных микросхем по отечественным технологиям, но получил отказ.

Чубайса - вне закона. Ну или осудить и расстрелять.

[державник]

К концу 40-х и началу 50-х годов, характеризующихся бурным развитием дискретных полупроводниковых приборов. Развитию полупроводниковой электроники предшествовали работы в области физики твердого тела. Большие заслуги изучения физики полупроводников принадлежат школе советских физиков, длительное время возглавляемой академиком А. Ф. Иоффе. Теоретические и экспериментальные исследования электрических свойств полупроводников, выполненные советскими учеными А. Ф. Иоффе, И. В. Курчатовым, В. П. Жузе, В. Г. Лошкаревым и другими, позволили создать стройную теорию полупроводников и определить пути их применения.

В первой половине 50-х годов был разработан метод диффузии легирующих примесей в полупроводниковые материалы, а в начале 60-х годов — планарная и эпитаксиальная технология, на многие годы определившие прогресс в производстве полупроводниковых структур. 50-е годы знаменуются открытиями в области физики твердого тела и переходом к квантовой электронике, приведшей к развитию лазерной техники. Большой вклад в развитие этой отрасли науки и техники внесли советские ученые Н. Г. Басов и А. М. Прохоров, удостоенные Ленинской (в 1959 г.) и Нобелевской (в 1964 г.) премий.

В ближайшее десятилетие должны быть обнародованы графеновые разработки, особенно в этом продвинулись некоторые российские институты благодаря расшифровки информации от предыдущего цикла, названия которых я пока указать не могу. Графен - это полупроводниковый материал, повторно открытый лишь 2004 году. В нескольких лабораториях уже синтезирован транзистор на базе графена, который может работать в трех устойчивых состояниях.

Для аналогичного решения в кремниевом исполнение, потребовалось бы три отдельных полупроводниковых транзистора. Это позволит в недалеком будущем создавать интегральные схемы из меньшего количества транзисторов, которые будут выполнять те же функции, что и их устаревшие кремниевые аналоги. Еще одним важным преимуществом графеновых полупроводников является их способность работать на высоких частотах. Причем, эти частоты могут достигать 500-1000 ГГц.


http://www.texnic.ru/tools/stud/l/l004.htm